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| 化合物半導体薄膜結晶の成長方法 专利
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者: 杉山 直治; 上條 健; 山田 正理; 大木 芳正
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| Method for manufacturing a surface emitting laser 专利
专利号: EP0782228A1, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02
作者: BRILLOUET, FRANÇOIS; JACQUET, JOEL; PLAIS, ANTONIA; GOLDSTEIN, LÉON; SALET, PAUL
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| 分子線エピタキシヤル装置 专利
专利号: JP2607239B2, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-05-07
作者: 早川 利郎; 須山 尚宏; 高橋 向星; 山本 三郎
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| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1992212488A, 申请日期: 1992-08-04, 公开日期: 1992-08-04
作者: MATSUBARA KUNIO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1992023378A, 申请日期: 1992-01-27, 公开日期: 1992-01-27
作者: YURI MASAAKI
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| Vapor growth device 专利
专利号: JP1991285327A, 申请日期: 1991-12-16, 公开日期: 1991-12-16
作者: KASAI SHUSUKE; YAMAMOTO OSAMU; KONDO MASAKI; SASAKI KAZUAKI; MATSUMOTO AKIHIRO
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| Manufacture of mesa buried type optical semiconductor device 专利
专利号: JP1991250684A, 申请日期: 1991-11-08, 公开日期: 1991-11-08
作者: OKAZAKI JIRO
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| Optical switch 专利
专利号: JP1990281231A, 申请日期: 1990-11-16, 公开日期: 1990-11-16
作者: WATANABE KAZUAKI
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| Optical waveguide and its production 专利
专利号: JP1990046407A, 申请日期: 1990-02-15, 公开日期: 1990-02-15
作者: YAMAZAKI KOJI
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| - 专利
专利号: JP1990003314B2, 申请日期: 1990-01-23, 公开日期: 1990-01-23
作者: MATSUEDA HIDEAKI; NAKAMURA MICHIHARU
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