×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2014 [1]
2009 [2]
2008 [4]
2005 [1]
2002 [1]
1994 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [10]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si by Diminishing the Diameter to 10 nm
期刊论文
nano letters, 2014, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 1214-1220
Pan, D
;
Fu, MQ
;
Yu, XZ
;
Wang, XL
;
Zhu, LJ
;
Nie, SH
;
Wang, SL
;
Chen, Q
;
Xiong, P
;
von Molnar, S
;
Zhao, JH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:235/41
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
conduction bands
energy gap
high electron mobility transistors
III-V semiconductors
magnesium compounds
passivation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
  |  
浏览/下载:127/30
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: art. no. 072110
作者:
Wei HY
收藏
  |  
浏览/下载:83/0
  |  
提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 12, 页码: art. no. 122111
Zhang, RQ
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/03/08
PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
GAP STATES
CONTINUUM
LINEUPS
INN
Characterization of ZnMgO hexagonal-nanotowers/films on m-plane sapphire synthesized by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 20, 页码: art. no. 205416
Yang, AL
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Song, HP
;
Fan, HB
;
Zhang, PF
;
Zheng, GL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/03/08
LOW-TEMPERATURE GROWTH
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANOWIRES
THIN-FILMS
NANORODS
MGXZN1-XO
ZINC
Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 575-581
Li JM
;
Han X
;
Wu JJ
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/03/17
quantum wells
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
THE EFFECT OF PASSIVATION OF BORON DOPANTS BY HYDROGEN IN NANO-CRYSTALLINE AND MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1994, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 713-718
JIANG XL
;
HE YL
;
ZHU HL
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/15
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace