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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The micro-magnetic structures of Mn+ ion-implanted GaSb 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 6a, 页码: 3389-3391 Zhang FQ; Chen NF; Liu ZK; Chai CL; Yang SY; Yang JL; Wu JL; Lin LY; Callaghan FD; Li T; Foxton CT; Bates CA 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic micro-structures  GaSb  MFM  magnetic domain  ion implantation  FORCE MICROSCOPE  SEMICONDUCTORS  GAMNAS   Optical properties of InGaAs self-assembled quantum dots with InAlAs wetting layer 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 8, 页码: 2087-2091 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：298/12  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs quantum dots  InAlAs wetting layer  photoluminescence spectra  TEMPERATURE-DEPENDENCE   Effect of InAs quantum dots on the Fermi level pinning of undoped-n(+) type GaAs surface studied by contactless electroreflectance 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: 4169-4172 作者:  Li CM;  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  MICROSCOPY  ISLANDS   Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots 期刊论文 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1010-1012 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  MICROSCOPY  SURFACES  ISLANDS  LAYER   Growth and characterization of InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers 期刊论文 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1831-1835 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/11  |  提交时间：2010/08/12 quantum cascade laser  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M   InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：143/18  |  提交时间：2010/08/12 MATRIX  ISLANDS  INGAAS   Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：85/5  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  EMISSION   Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：82/8  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER TRANSFER  LASERS  GAIN   Photoluminescence of Eu2+ doped ZnS nanocrystals 期刊论文 chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 609-611 作者:  Liu SM 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 II-VI COMPOUNDS  LUMINESCENCE  CENTERS  EXCITON   Photoluminescence of ZnO : Tb nanoparticles 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2307-2309 作者:  Liu SM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  doping  nanocrystals  NANOCRYSTALS  CENTERS