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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1993 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING
期刊论文
applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721
JIN SX
;
WANG HP
;
YUAN MH
;
SONG HZ
;
WANG H
;
MAO WL
;
QIN GG
;
REN ZY
;
LI BC
;
HU XW
;
SUN GS
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提交时间:2010/11/15
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