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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SWCNT-MoS2-SWCNT Vertical Point Heterostructures 期刊论文 Adv. Mater., 2017, 卷号: 29, 页码: 1604469 作者:  Jin Zhang;  Yang Wei;  Fengrui Yao;  Dongqi Li;  He Ma 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/06/01 Rational Design of Ultralarge Pb1−xSnxTe Nanoplates for Exploring Crystalline Symmetry-Protected Topological Transport 期刊论文 Advanced Materials, 2016, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 617-623 Qisheng Wang; Kaiming Cai; Jie Li; Yun Huang; Zhenxing Wang; Kai Xu; Feng Wang; Xueying Zhan; Fengmei Wang; Kaiyou Wang; Jun He 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets 期刊论文 nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 33, 页码: 14093-14099 Yun Huang; Hui-Xiong Deng; Kai Xu; Zhen-Xing Wang; Qi-Sheng Wang; Feng-Mei Wang; Feng Wang; Xue-Ying Zhan; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/29 Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets 期刊论文 Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762 Kai Xu; Hui-Xiong Deng; Zhenxing Wang; Yun Huang; Feng Wang; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/04/08 Rational Design of Ultralarge Pb1−xSnxTe Nanoplates for Exploring Crystalline Symmetry-Protected Topological Transport 期刊论文 Advanced Materials, 2015, 卷号: 28, 页码: 617-623 Qisheng Wang; Kaiming Cai; Jie Li; Yun Huang; Zhenxing Wang; Kai Xu; Feng Wang; Xueying Zhan; Fengmei Wang; Kaiyou Wang; Jun He 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/08 Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets 期刊论文 nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762 Kai Xu; Hui-Xiong Deng; Zhenxing Wang; Yun Huang; Feng Wang; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/29