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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
会议论文 [2]
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2011 [1]
2010 [1]
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2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
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Gu SL
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Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
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Cui YC
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Hua XM
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Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
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Zhang JY
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Fang ZL
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Liu BL
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Yu JZ
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Wang QM
;
Kusakabe K
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Ohkawa K
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浏览/下载:216/66
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提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
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Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Comparison of space- and ground-grown Ce: Bi12SiO20 single crystals
期刊论文
microgravity science and technology, 2006, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 40244
Zhou YF
;
Pan ZL
;
Liu Y
;
Ai F
;
Chen NF
;
Huang YY
;
He W
;
Tang LA
;
Wang JC
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提交时间:2010/04/11
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: art.no.176101
Liu B
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Bi ZX
;
Gu SL
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Shi Y
;
Zheng YD
;
Hu LJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
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提交时间:2010/03/17
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
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Liu ZL
;
Wang X
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浏览/下载:179/57
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提交时间:2010/03/09
LAYERS
Space growth studies of Ce-doped Bi12SiO20 single crystal
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2004, 卷号: 113, 期号: 3, 页码: 179-183
Zhou YF
;
Wang JC
;
Tang LA
;
Pan ZL
;
Chen NF
;
Chen WC
;
Huang YY
;
He W
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浏览/下载:107/20
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提交时间:2010/03/09
Bridgman technique
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
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Wang X
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Dong YN
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Liu XH
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He P
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Tian LL
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Liu ZL
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提交时间:2010/11/15
SOI
nanostructure
microelectronic materials
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
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