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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
1998 [2]
1997 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
The structures and transformations on Si(113) surface
期刊论文
applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98
Feng KA
;
Mu XM
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ATOMIC-STRUCTURE
RECONSTRUCTION
DIAMOND
SI
SILICON
HYDROGEN
SI(100)
LEED
STM
GE
Hydrogen adsorption induced surface reconstructions on Si(113) studied by LEED
期刊论文
applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: 101-105
Hu XM
;
Feng K
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
SI
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