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A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749
Yu, Guohao; Cai, Yong; Wang, Yue; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhao, Desheng; Qin, Hua; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/08/27
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
作者:  韩培德;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
作者:  韩培德;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15
作者:  江德生
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23
用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 89
作者:  江德生
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性 期刊论文
发光学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 20
作者:  江德生;  王晓东;  王海龙
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 573
作者:  江德生
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23
LP-MOVPE Ga（1-x） InxAs/InP量子阱结构材料 期刊论文
半导体学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 9, 页码: 578
作者:  王玉田;  江德生
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23
GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 9, 页码: 659
作者:  江德生
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23

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