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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
作者:  成步文
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
作者:  王玉田;  成步文
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/23
组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
作者:  成步文
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23
Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313
作者:  Cheng BW(成步文)
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