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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [4]
学科主题
光电子学 [4]
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760
作者:
成步文
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
作者:
王玉田
;
成步文
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
作者:
成步文
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313
作者:
Cheng BW(成步文)
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
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