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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfacial structures and electrical properties of HfAl2O5 gate dielectric film annealed with a Ti capping layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 15, 页码: 152910-152910 Cheng, XH; Wan, L; Song, ZR; Yu, YH; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 HAFNIUM  HFO2  SIO2   Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 73505-73505 Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Zhong, M; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  CONDUCTION  SEPARATION   Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110 Liu, WL; Lee, PF; Dai, JY; Wang, J; Chan, HLW; Choy, CL; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  DEVICE  HFO2  DIELECTRICS  OXIDATION  SIO2   Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 6, 页码: 3217-3220 Chen, P; Zhu, M; Fu, RKY; Chu, PK; An, ZH; Liu, W; Montgomery, N; Biswas, S 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  ON-INSULATOR FILMS  SILICON  SIO2  PERFORMANCE  CHANNEL  PROFILE  DEFECTS  SIMOX