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科研机构
上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [1]
2007 [1]
2000 [1]
学科主题
Optics [3]
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Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/17
compound semiconductor
molecular beam epitaxy
InAlGaAs
X-ray diffraction
photoluminescence
Behavior of Si incorporation in AlxGa1-xAs(x=0 to 1) grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 1-+
Li, H
;
Li, AZ
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Qi, M
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/24
DOPED ALXGA1-XAS
MBE
Dislocation evaluation of GaN etched by photoenhanced KOH solution from atomic force microscope
期刊论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2000, 卷号: 4086, 页码: 120-123
Zhao, ZB
;
Qi, M
;
Li, AZ
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GROWTH
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