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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Annealing - Capacitance - Metals - MOS capacitors - MOS devices - Nitric oxide - Oxidation - Silicon carbide     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/11/03