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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D   The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 29-35 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Ni HQ; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：147/48  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   SELF-CONSISTENT TREATMENT OF 3-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL AND 2-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER STRUCTURES 期刊论文 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 4575-4585 ZHU BF; HUANG K 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  DEVICES  DIODES  HETEROSTRUCTURES  ACCUMULATION  MODEL