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科研机构
半导体研究所 [55]
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期刊论文 [55]
发表日期
2012 [1]
2011 [3]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
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学科主题
半导体物理 [55]
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学科主题:半导体物理
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Optimization of the Dielectric Layer Thickness for Surface-Plasmon-Induced Light Absorption for Silicon Solar Cells
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 4,part 1, 页码: 42301
Xu, R
;
Wang, XD
;
Liu, W
;
Song, L
;
Xu, XN
;
Ji, A
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/03/17
Silicon nanostructure solar cells with excellent photon harvesting
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21014
Chen C
;
Jia R
;
Yue HH
;
Li HF
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
;
Xu BS
收藏
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
ANTIREFLECTION COATINGS
NANOWIRE ARRAYS
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:
Xue CL
;
Su SJ
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浏览/下载:62/2
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提交时间:2010/03/08
porous anodic alumina mask
silicon nanopore array structure
pattern transfer
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:84/1
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提交时间:2010/03/08
gallium nitride crack
low temperature aluminum nitride
interlayer
silicon
Chemical trends of defect formation in Si quantum dots: The case of group-III and group-V dopants
期刊论文
physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 23, 页码: art.no.235304
Xu Q (Xu Qiang)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2010/03/29
POROUS SILICON
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Emitter of hetero-junction solar cells created using pulsed rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2397-2401
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Hao HY (Hao Hui-Ying)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
emitter
rapid thermal processing (RTP)
PECVD
solar cell
SILICON FILMS
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