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Scars in Dirac fermion systems: the influence of an Aharonov–Bohm flux 期刊论文
New J. Phys., 2017, 卷号: 19, 页码: 013018
作者:  Cheng-Zhen Wang;  Liang Huang;  Kai Chang
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/06/01
Spin-flip relaxation in a two-electron quantum dot with spin-phonon coupling 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 22, 页码: 1667-1671
Wang, ZW; Li, SS
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06
Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks 期刊论文
physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796
Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.)
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/05
One-dimensional quantum waveguide theory of Rashba electrons 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 9, 页码: art.no.093705
Liu DY (Liu Duan-Yang); Xia JB (Xia Jian-Bai); Chang YC (Chang Yia-Chung)
收藏  |  浏览/下载：169/30  |  提交时间：2010/03/08
Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 142109
作者:  Zhang XH;  Chen L
收藏  |  浏览/下载：109/22  |  提交时间：2010/03/08
Magnetic field switching in parallel quantum dots 期刊论文
epl, 2009, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: art.no.37001
Li F (Li Feng); Li XQ (Li Xin-Qi); Zhang WM (Zhang Wei-Min); Gurvitz SA (Gurvitz S. A.)
收藏  |  浏览/下载：581/58  |  提交时间：2010/03/08
Transmission properties of electron in quantum rings 期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723
Li, CL; Yang, FH; Feng, SL; Wang, XM
收藏  |  浏览/下载：109/1  |  提交时间：2010/03/08
Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102
Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Dou, XM; Niu, ZC
收藏  |  浏览/下载：84/1  |  提交时间：2010/03/08
Systematic investigation on the influence of the As-4 flux on the magnetic property of (In,Cr)As quantum dots 期刊论文
epl, 2008, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: art. no. 58007
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：160/34  |  提交时间：2010/03/08
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG
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