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科研机构
半导体研究所 [38]
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期刊论文 [29]
会议论文 [9]
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2009 [3]
2008 [4]
2007 [5]
2006 [5]
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学科主题
半导体材料 [38]
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学科主题:半导体材料
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Measurement of wurtzite ZnO/rutile TiO2 heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 1099-1103
作者:
Wei HY
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浏览/下载:59/8
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提交时间:2011/07/05
SENSITIZED SOLAR-CELLS
PHOTOCATALYZED TRANSFORMATION
CHLOROAROMATIC DERIVATIVES
ZINC-OXIDE
FILMS
POWDER
PHENOL
STUDY OF MICROSTRUCTURE AND DEFECTS IN HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS
会议论文
34th ieee photovoltaic specialists conference, philadelphia, pa, 2009
Peng WB (Peng Wenbo)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Liu SY (Liu Shiyong)
;
Xiao HB (Xiao Haibo)
;
Kong GL (Kong Guanglin)
;
Yu YD (Yu Yude)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
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浏览/下载:252/64
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提交时间:2010/08/16
Valence band offset of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 23, 页码: 7327-7330
Zheng GL (Zheng Gaolin)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang AL (Yang Anli)
;
Song HP (Song Huaping)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Jiao CM (Jiao Chunmei)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:167/22
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提交时间:2010/08/17
MgO
Rutile
Band offset
X-ray photoelectron spectroscopy
Gate dielectric
Dye-sensitized solar cells
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984
Zhao JZ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhang Y
;
Lu YJ
;
Lu W
;
Wang ZG
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:95/25
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提交时间:2010/03/08
relative permittivity
AlGaN barrier layer
AlGaN/GaN heterostructures
Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films
期刊论文
thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994
作者:
Li Y
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浏览/下载:360/38
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
Fracture property
Silicon nitride
Weibull distribution function
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
3rd ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, sanya, peoples r china, jan 06-09, 2008
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
bulge test fracture property
silicon carbide thin films
Weibull distribution function
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262
作者:
Yang Xiaoli
;
Wang Yu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms
期刊论文
journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
fracture
pooled Weibull analysis
silicon nitride (Si3N4)
silicon oxide (SiO2)
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:298/42
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提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
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