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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2004 [1]
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 8, 页码: 2606-2610
作者:
Wei HY
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:156/40
  |  
提交时间:2010/04/04
ZnO
Metal-organic chemical vapor deposition
Infrared absorption
Surface
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
POLAR-SURFACE
EPITAXY
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2004, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 753-755
Wang JC
;
Yu DP
;
Li CY
;
Zhou JF
;
Wang YZ
;
Feng SQ
收藏
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浏览/下载:230/78
  |  
提交时间:2010/03/09
LIGHT-EMITTING-DIODES
Very low-pressure VLP-CVD growth of high quality gamma-Al2O3 films on silicon by multi-step process
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 261-266
Tan LW
;
Zan YD
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Wang SR
;
Liu ZL
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:81/3
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3 FILMS
SI
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:84/5
  |  
提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
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