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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on growth mechanism of low-temperature prepared microcrystalline Si thin films 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894 Gu, JH; Zhou, YQ; Zhu, MF; Li, GH; Kun, D; Zhou, BQ; Liu, FZ; Liu, JL; Zhang, QF 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 growth mechanism   Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND   Mechanical alloying of Fe-Mn and Fe-Mn-Si 期刊论文 materials science and engineering a-structural materials properties microstructure and processing, 1999, 卷号: 271, 期号: 1-2, 页码: 8-13 Liu T; Liu HY; Zhao ZT; Ma RZ; Hu TD; Xie YN 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 As-milled alloys  ball milling  Mossbauer measurements  X-ray diffraction  TRANSFORMATION  POWDERS  PHASE-FORMATION   Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY