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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2005 [1]
2002 [2]
1998 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate
期刊论文
spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630
作者:
Tang AW
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浏览/下载:83/5
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提交时间:2011/07/15
SILVER NANORODS
HOT-SPOTS
ACTIVE SUBSTRATE
NANOWIRE ARRAYS
SPECTROSCOPY
SERS
NANOPARTICLES
SENSITIVITY
REDUCTION
STABILITY
Kondo effect in a triangular triple quantum dots ring with three terminals
期刊论文
solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 25-26, 页码: 1136-1140
Liu Y (Liu Yu)
;
Chen YH (Chen Yonghai)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:176/27
  |  
提交时间:2010/07/05
Quantum dot
Symmetry
Kondo effect
Fano effect
SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
SPIN
Diamond nucleation by energetic pure carbon bombardment
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: art.no.035402
Yao Y
;
Liao MY
;
Kohler T
;
Frauenheim T
;
Zhang RQ
;
Wang ZG
;
Lifshitz Y
;
Lee ST
收藏
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浏览/下载:44/15
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提交时间:2010/03/17
ION-BEAM DEPOSITION
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
期刊论文
ferroelectrics, 2002, 卷号: 271, 期号: 0, 页码: 1707-1713
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/08/12
Bi2Ti2O7
thin film
MOCVD
(111) orientation
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CRYSTAL THIN-FILMS
Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152
Lu DC
;
Duan SK
收藏
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浏览/下载:99/7
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
molecular vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting quaternary alloys
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUATERNARY ALLOYS
PHASE EPITAXY
GAN
ALINGAN
Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
SiGe/Si
disilane cracking
dynamic simulation
PHOTOLUMINESCENCE
SILICON
LAYERS
SI2H6
DISORDERED SUPERLATTICES
THEORETICAL TREATMENT OF A3B5 CHLORIDE VAPOR-PHASE EPITAXY - GROWTH, DOPING, OPTIMIZATION
期刊论文
semiconductor science and technology, 1993, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 1935-1943
DOSTOV VL
;
IPATOVA IP
;
KULIKOV AY
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
SYSTEM
VPE
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