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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：128/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009 Zeng SW; Zhang BP; Sun JW; Cai JF; Chen C; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：58/7  |  提交时间：2010/03/08 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INN  ABSORPTION  ALLOYS  ENERGY