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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2004 [2]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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The effect of proton radiation on a superlumine scent diode (SLD)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2007, 卷号: 260, 期号: 2, 页码: 623-627
Zhao M
;
Tan MQ
;
Wu XM
;
Sun MX
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/29
SLD
Structure and photoluminescence studies of Pr-implanted GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 267, 期号: 3-4, 页码: 400-404
Song SF
;
Chen WD
;
Su FH
;
Zhu JJ
;
Ding K
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:65/22
  |  
提交时间:2010/03/09
doping
Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Song, SF
;
Chen, WD
;
Zhu, JJ
;
Hsu, CC
收藏
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浏览/下载:233/52
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提交时间:2010/03/09
defects
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/08/12
atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
deep level transient spectroscopy
deep level defects
DISLOCATION DENSITY
IRRADIATION
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