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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 4046-4053 作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang ;   Member;   IEEE;   Guoguo Yan;   Zhengxin Wen;   Wanshun Zhao;   Lei Wang;   Xingfang Liu;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/05/24 Effects of annealing on the interfacial properties and energy-band alignment of AlN dielectric on 4H–SiC 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 117, 期号: 10, 页码: 102105 作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang;   Jun Chen;   Zhao Fu;   Xingfang Liu;   Guoguo Yan;   Bowen Lv;   Yinshu Wang;   Lei Wang;  Wanshun Zhao;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/05/25 Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352 作者:  Yawei He ;  Guoguo Yan ;   Zhanwei Shen;   Wanshun Zhao ;   Lei Wang ;   Xingfang Liu ;  Guosheng Sun;   Feng Zhang ;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/12/20