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科研机构
西安交通大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2019 [1]
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发表日期:2019
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An In0.42Ga0.58N tunnel junction nanowire photocathode monolithically integrated on a nonplanar Si wafer
期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 57, 页码: 405-413
作者:
Wang, Yongjie
;
Vanka, Srinivas
;
Gim, Jiseok
;
Wu, Yuanpeng
;
Fan, Ronglei
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提交时间:2019/11/19
III-nitride semiconductors
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