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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures 其他 2016-01-01 Chen, Shen-Li; Wu, Yi-Cih; Lin, Jia-Ming; Yang, Chih-Hung; Yen, Chih-Ying; Chen, Kuei-Jyun; Chen, Hung-Wei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Electrostatic discharge (ESD)  N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)  Secondary breakdown current (I-t2)  Shallow-trench isolation (STI)  Silicon-controller rectifier (SCR)   ESD reliability improvement of the 0.25-��m 60-V power nLDMOS with discrete embedded SCRs separated by STI structures 其他 2016-01-01 Chen, Shen-Li; Wu, Yi-Cih; Lin, Jia-Ming; Yang, Chih-Hung; Yen, Chih-Ying; Chen, Kuei-Jyun; Chen, Hung-Wei 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03