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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Ji L;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：60/5  |  提交时间：2010/03/08 Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108 Sun, X; Liu, WB; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, S; Wang, LL; Wang, H; Zhu, JJ; Duan, LH; Wang, YT; Zhao, DG; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 FUNDAMENTAL-BAND GAP  IN1-XGAXN ALLOYS  INN   Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488 Zhu, JH; Zhang, SM; Sun, X; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Jiang, DS; Duan, LH; Wang, H; Shi, YS; Liu, SY; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA  ARRAYS  NANOSTRUCTURES  LUMINESCENCE  NANORODS   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Structural properties of ne implanted GaN 期刊论文 physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601 作者:  Zhu JJ;  Yang H;  Liu W;  Liu W;  Lu GJ 收藏  |  浏览/下载：45/2  |  提交时间：2010/03/08 RAMAN-SCATTERING