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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Contents of four active components in different commercial crude drugs and preparations of Danshen (Salvia miltiorrhiza) 期刊论文 ACTA PHARMACOLOGICA SINICA, 2002, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 1163-1168 作者:  Zhang, H;  Yu, C;  Jia, JY;  Leung, SWS;  Siow, YL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/01/08 Salvia miltiorrhiza  magnesium tanshinoate B (MTB)  high pressure liquid chromatography   Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文 Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 作者:  Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep level transient fourier spectroscopy  (dltfs)  Gallium nitride (gan)  Intermediate-temperature buffer layer (itbf)  Low-frequency noise   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES   Study of gan thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104 作者:  Lu, LW;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Leung, BH;  Surya, C 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Molecular beam epitaxy  Semiconducting materials   Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104 Lu LW; Fong WK; Zhu CF; Leung BH; Surya C; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：100/14  |  提交时间：2010/08/12 characterization  molecular beam epitaxy  semiconducting materials  STRAIN