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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-temperature growth of cubic gan by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 Thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 作者:  Zheng, LX;  Yang, H;  Xu, DP;  Wang, XJ;  Li, XF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrides  Mocvd  Surface morphology  Growth mechanism   Gallium diffusion through cubic gan films grown on gaas(100) at high-temperature using low-pressure movpe 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650 作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Zheng, LX;  Wang, XJ;  Duan, LH 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文 symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997 Zheng LX; Liang JW; Yang H; Li JB; Wang YT; Xu DP; Li XF; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650 Xu DP; Yang H; Zheng LX; Wang XJ; Duan LH; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  NITRIDATION   Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY