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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1994     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用微波等离子体化学气相沉积（MWCVD）法在（100）Si 衬底上沉积织构金刚石膜 期刊论文 科学通报, 1994, 期号: 23, 页码: 2203 作者:  张文军;  张仿清;  胡博;  韩立;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 化学气相沉积:5532  微波等离子体:5016  金刚石膜:4530  金刚石颗粒:3368  Si衬底:2696  织构:1690  金刚石薄膜:1023  半导体器件:671  兰州大学:627  扫描电子显微镜:584   LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文 兰州大学学报, 1994, 期号: 3, 页码: 2 作者:  崔敬忠;  陈光华;  张仿清;  甘润今;  杨树人 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/27 InGaAs／GaAs:6545  应变超晶格:5446  MOCVD生长:3858  结构参数:1732  卫星峰:1651  Ｘ射线:1561  摇摆曲线:1415  生长条件:997  光电子:866  能带结构:824   LP-MOVPE生长InGaAs应变超晶格 期刊论文 吉林大学自然科学学报, 1994, 期号: 1, 页码: 4 作者:  杨树人;  刘宝林;  陈伯军;  刘式墉;  崔敬忠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 LP－MOVPE  InGaAs  应变超晶格