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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 a-Si:H;a-SiC:H和a-SiN:H合金系统中g值的理论计算(英文) 期刊论文 固体电子学研究与进展, 1989, 期号: 4, 页码: 472-473 作者:  陈光华;  苏玉成;  于工 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 a-Si:H:7160  合金系统:3629  g值:2849  理论计算:1763  英文:1710  电子材料:1099  兰州大学:778  物理系:689  研究所:339   用光学方法研究掺硼a-Si↓（1-x）C↓x:H膜的隙态密度 期刊论文 无机材料学报, 1989, 期号: 4, 页码: 343-346 作者:  王印月;  吴现成;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 隙态密度  光吸收  P 型非晶硅碳氢膜