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科研机构
厦门大学 [1]
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [2]
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发表日期:2014
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Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM(张书明)
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提交时间:2014/12/01
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
ELECTRON-TRANSPORT
CARBON
LAYER
FE
The inn epitaxy via controlling in bilayer
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-5, 2014
Zhou, Jin
;
Huang, Qiangcan
;
Li, Jinchai
;
Cai, Duanjun
;
Kang, Junyong
;
李金钗
;
蔡端俊
;
康俊勇
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Epitaxial growth
Metallorganic vapor phase epitaxy
Nitridation
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