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Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: 3
作者:  Liu, B.;  Lu, Y. W.;  Jin, G. R.;  Zhao, Y.;  Wang, X. L.
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Weak Epitaxy Growth of Phthalocyanine on 2,5-Bis(4-1,1 ':4 ',1 ''-terphenyl)-thiophene and the Effect of Phase State of Inducing Layer 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2010, 卷号: 114, 期号: 49, 页码: 16408-16413
作者:  Wang, Tong;  Huang, Lizhen;  Yang, Junliang;  Tian, Hongkun;  Geng, Yanhou
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Weak epitaxy growth of phthalocyanine on 2,5-bis(4-1,1 ':4 ',1 ''-terphenyl)-thiophene and the effect of phase state of inducing layer 期刊论文
Journal of physical chemistry b, 2010, 卷号: 114, 期号: 49, 页码: 16408-16413
作者:  Wang, Tong;  Huang, Lizhen;  Yang, Junliang;  Tian, Hongkun;  Geng, Yanhou
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Origin of ferromagnetism in self-assembled ga1-xmnxas quantum dots grown on si 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: 3
作者:  Wang, S. L.;  Chen, L.;  Meng, K. K.;  Xu, P. F.;  Meng, H. J.
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Magnetic properties of full-heusler alloy co2fe1-xmnxal films grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: 3
作者:  Meng, K. K.;  Wang, S. L.;  Xu, P. F.;  Chen, L.;  Yan, W. S.
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128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas 期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2010, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 415-418
作者:  Ye Zhen-Hua;  Yin Wen-Ting;  Huang Jian;  Hu Wei-Da;  Chen Lu
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Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang
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Band structure and Fermi surface of atomically uniform lead films 期刊论文
new journal of physics, 2010, 卷号: 12
作者:  He, Shaolong;  Zeng, Zhenhua;  Arita, Masashi;  Sawada, Masahiro;  Shimada, Kenya
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Structure and properties of inas/alas quantum dots for broadband emission 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: 5
作者:  Meng, X. Q.;  Jin, P.;  Liang, Z. M.;  Liu, F. Q.;  Wang, Z. G.
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Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利
专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK
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