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一种高强度亚微米孔分离膜及其制备方法和应用 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-12-30
于志明
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2013/06/06
Chemical Vapor Deposition and Etching of Micro-,Nano-and Ultrananocrystalline Diamond Thin Films 学位论文
博士, 上海应用物理研究所: 中国科学院上海应用物理研究所, 2009
SobiaAllahRakha
收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2012/04/11
赤泥脱碱、提取有价金属工艺及絮凝脱色应用研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
王琪
收藏  |  浏览/下载:109/0  |  提交时间:2011/03/18
一种组成可控的钯合金复合膜制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810103649.0, 申请日期: 2009-10-14, 公开日期: 2009-10-14, 2011-07-11
徐恒泳; 袁立祥; 安德列斯哥德巴赫
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2011/07/11
不对称卷式炭膜的设计、制备及其气体分离性能的研究 项目
2009-
作者:  王同华
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/24
氧气分离膜 专利
专利类型: 发明(PCT), 专利号: CN200780022866.0, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08, 2011-07-11
Y聪; W杨; X朱
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2011/07/11
一种空气分离制氧气和氮气的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200710158720.0, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 2009-06-10, 2011-07-11
朱雪峰; 杨维慎; 丛 铀; 贺玉凤
收藏  |  浏览/下载:118/0  |  提交时间:2011/07/11
大气中甲酸和乙酸的碳同位素分析方法及其应用研究 学位论文
博士, 地球化学研究所: 中国科学院地球化学研究所, 2009
黄代宽
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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
双层非对称中空纤维气体分离膜的制备及性能研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院, 2009
丁晓莉
收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2011/07/11


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