QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2007     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis and device integration of carbon nanotube/silica core-shell nanowires 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2007, 卷号: 111, 期号: 21, 页码: 7661-7665 作者:  Li, Xianglong;  Liu, Yunqi;  Fu, Lei;  Cao, Lingchao;  Wei, Dacheng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/09 Fabrication of high performance top-gate complementary inverter using a single carbon nanotube and via a simple process 期刊论文 应用物理学快报, 2007 Hu, Y. F.; Yao, K.; Wang, S.; Zhang, Z. Y.; Liang, X. L.; Chen, Q.; Peng, L.M.; Yao, Y. G.; Zhang, J.; Zhou, W. W.; Li, Y. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CONTACTS  GROWTH   Doping-free fabrication of carbon nanotube based ballistic CMOS devices and circuits 期刊论文 nano letters, 2007 Zhang, Zhiyong; Liang, Xuelei; Wang, Sheng; Yao, Kun; Hu, Youfan; Zhu, Yuzhen; Chen, Qing; Zhou, Weiwei; Li, Yan; Yao, Yagang; Zhang, Jin; Peng, Lian-Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LOGIC GATES  SINGLE  PERFORMANCE  CONTACT  TRANSPORT   Schottky barrier MOSFET structure with silicide source/drain on buried metal 期刊论文 中国物理英文版, 2007 Li Ding-Yu; Sun Lei; Zhang Sheng-Dong; Wang Yi; Liu Xiao-Yan; Han Ru-Qi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/16 Schottky barrier MOSFET  Schottky barrier  barrier height  silicide source/drain  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GERMANIDE  GATE  FABRICATION  THICKNESS  CONTACTS  IMPACT  SOI  S/D   Corner effects in double-gate/gate-all-around MOSFETs 期刊论文 中国物理英文版, 2007 Hou Xiao-Yu; Zhou Fa-Long; Huang Ru; Zhang Xing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 GAA  DG  DIBL  S-top  D-top  corner effect  GATE