QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2004     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarization effects simulation of algan/gan heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer 期刊论文 Solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705 作者:  Li, N;  Zhao, DG;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Heterojunction  Polarization  Device simulation   Positive temperature coefficient of resistivity in Pt/(Ba0.7Sr0.3)TiO3/YBa2Cu3O7-x capacitors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 85, 期号: 21, 页码: 5019 Yang, H; Chen, B; Miao, J; Zhao, L; Xu, B; Dong, XL; Cao, LI; Qiu, XG; Zhao, BR 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  LEAKAGE CURRENT  PHASE-DIAGRAMS  P-N  TITANATE  HETEROSTRUCTURES   Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer 期刊论文 solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705 Li, N; Zhao, DG; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：152/59  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN/GaN