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科研机构
半导体研究所 [54]
上海微系统与信息技术... [6]
厦门大学 [2]
内容类型
期刊论文 [58]
会议论文 [4]
发表日期
2002 [62]
学科主题
半导体材料 [27]
半导体物理 [16]
光电子学 [4]
Chemistry,... [2]
Engineerin... [1]
Industrial... [1]
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共62条,第1-10条
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发表日期:2002
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85
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Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
作者:
Shen, XM
;
Fu, Y
;
Feng, G
;
Zhang, BS
;
Feng, ZH
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Epitaxial lateral overgrowth
Metalorganic vapor phase epitaxy
Cubic gallium nitride
Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of gan by mocvd
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Feng, G
;
Fu, Y
;
Xia, JS
;
Zhu, JJ
;
Zhang, BS
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown gan using selective etching
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Feng, G
;
Zheng, XH
;
Fu, Y
;
Zhu, JJ
;
Shen, XM
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Etching
Metalorganic vapor-phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting iii-v materials
Metalorganic chemical vapor deposition of ganas alloys using different ga precursors
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
作者:
Wei, X
;
Wang, GH
;
Zhang, GZ
;
Zhu, XP
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
High resolution x-ray diffraction
Precursor
Metalorganic chemical vapor depositions
Gallium compounds
A new method to fabricate ingan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194
作者:
Chen, Z
;
Lu, DH
;
Yuan, HR
;
Han, P
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Metalorganic chemical vapor deposition
Nitrides
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic gan grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Feng, ZH
;
Yang, H
;
Zhang, SM
;
Duan, LH
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal morphology
Doping
Surface structure
Metalorgamc chemical vapor deposition
Nitrides
Semiconducting iii-v materials
三元有序合金Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)的时间分辨谱
期刊论文
2002
高玉琳
;
吕毅军
;
郑健生
;
蔡志岗
;
桑海宇
;
曾学然
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2011/04/26
时间分辨光致发光谱
III-V族半导体
有序合金
Time\|resolved photoluminescence
semiconductor
ordered alloy
Time-resolved photoluminescence spectra study of ordered Ga052In048P alloys
期刊论文
2002
Zeng,XR
;
Cai,ZG
;
Zheng,JS
;
Shang,HY
;
Lu,YJ
;
Gao,YL
;
吕毅军
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
GA0.5IN0.5P
Interfacial and microstructural properties of zirconium oxide thin films prepared directly on silicon
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2002, 卷号: 202, 期号: 1-2, 页码: 126-130
Zhang, NL
;
Song, ZT
;
Wan, Q
;
Shen, QW
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-STABILITY
ZRO2
SI(100)
Thermochemical process occurring in PLD-derived SiC films during vacuum annealing
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 204-209
Wang, YX
;
He, HP
;
Wang, LW
;
Liu, D
;
Tang, HG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
SILICON-CARBIDE
LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
OXIDATION
SUBSTRATE
INTERFACE
GROWTH
TEMPERATURE
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