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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者:  Xu B;  Jiang DS;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  laser diodes  1.3 MU-M  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  1.3-MU-M  PHOTOLUMINESCENCE  GAIN