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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimizing precision of fixed-polarizer, rotating-polarizer, sample, and fixed-analyzer spectroscopic ellipsometry 期刊论文 APPLIED OPTICS, 2000, 卷号: 39, 期号: 34 作者:  Zhiming Huang;  Junhao Chu 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/11/30 Optical properties of PbZrxTi1-xO3 on platinized silicon by infrared spectroscopic ellipsometry 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 76, 期号: 26 作者:  Zhiming Huang;  Xiangjiang Meng;  Pingxiong Yang;  Zhanhong Zhang;  and Junhao Chu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/11/30 Spectroscopic ellipsometry study of SiC/Si heterostructures formed by high-dose C+ implantation into silicon 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2000, 卷号: 116, 期号: 3, 页码: 177-180 Yang, SH; Chen, DH; Li, HQ; Zhang, YL; Mo, D; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 ARC ION-SOURCE  CARBON IMPLANTATION   Spectroscopic ellipsometry characterization of diamond-like carbon films formed by filtered arc deposition 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2000, 卷号: 169, 页码: 54-58 Guo, WS; Wong, SP; Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH   Bias voltage dependence of sp fractions of amorphous carbon films prepared by magnetic filtered carbon ion deposition studied by spectroscopic ellipsometry 期刊论文 PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), 2000, 卷号: Vol.4086, 页码: 590-594 作者:  Guo, WS 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/02/28 characterization  ellipsometry  amorphous  carbon  sp(3)  fractions   Spectroellipsometric study of buried SiC layers formed by carbon implantation with a metal vapor vacuum arc ion source 期刊论文 PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), 2000, 卷号: Vol.4086, 页码: 565-569 作者:  Guo, WS;  Zhu, D;  Liu, ZH 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/02/25 carbon ion implantation  metal vapor vacuum arc ion source  buried SiC layer  spectroscopic ellipsometry