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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor light-emitting device and production method thereof 专利 专利号: US6136626, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24 作者:  KIDOGUCHI, ISAO;  ADACHI, HIDETO;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  OHNAKA, KIYOSHI;  BAN, YUZABURO 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Electric potential (psi(delta) and psi(d)) at outer Helmholtz plane and midplane on the clay colloid surface with overlapping flat double layers 期刊论文 JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, 2000, 卷号: 227, 期号: 2, 页码: 345-348 作者:  Xin, J;  Zhou, JM;  Ji, GL;  Yu, TR 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/10/10 electric potential  clay colloid  overlapping flat double layer   Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 LT-GaAs  LT MQWs  defect  photoluminescence  electroabsorption  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  RECOMBINATION  DYNAMICS   Theoretical analysis and experimental study of Fourier transformation of Franz-Keldysh oscillations in GaAs 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 11, 页码: 6429-6435 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 DELTA-DOPED GAAS  UNDOPED GAAS  PHOTOREFLECTANCE  FIELD  SPECTROSCOPY  MODULATION  ELECTROREFLECTANCE  SURFACE