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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  stacking faults  vacancy  strain relaxation  silicon  germanium  SI(100)  LAYERS  FILMS  THREADING DISLOCATION   Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 THREADING DISLOCATION  SI(100)  LAYERS  FILMS   Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses 会议论文 conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Chen BW; Yu JZ; Wang QM; Xie DT; Wu JG; Xu DF; Xu GX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Er-doped silica glass  sol-gel process  photoluminescence  PLANAR WAVE-GUIDES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRYSTAL SILICON  IMPLANTED SI  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  FABRICATION  IMPURITIES  FILMS  IONS