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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of orientation of global chain on crystallization behavior of amorphous polyethylene terephthalate 期刊论文 ACTA POLYMERICA SINICA, 1998, 期号: 5, 页码: 586-590 作者:  Song, R;  Chen, J;  Lin, X;  Gao, JG;  Fan, QR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/09 Polyethylene Terephthalate  Solvent Induced Crystallization  Differential Scanning Calorimetry   Vectorial equations and polarization characteristics of pulsed lasers 期刊论文 IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 1998, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 1135 Yang, QS; Wang, PY; Dai, JH; Zhang, HJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/23 DOPED FIBER LASER  ISOTROPIC LASER  DYNAMICS  THRESHOLD  STABILITY  CHAOS  MODEL   Material response and failure mechanism of unidirectional metal matrix composites under impulsive shear loading 期刊论文 Key Engineering Materials, 1998, 卷号: 141-143, 页码: 651-670 作者:  Dai LH(戴兰宏);  Bai YL(白以龙);  Lee SWR 收藏  |  浏览/下载：1942/391  |  提交时间：2007/06/15 The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY