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Effects of annealing on self-organized inas quantum islands on gaas (100) 期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
作者:  Mo, QW;  Fan, TW;  Gong, Q;  Wu, J;  Wang, ZG
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Metamorphosis of self-organized quantum dots into quantum wires 期刊论文
Physics letters a, 1998, 卷号: 249, 期号: 5-6, 页码: 555-559
作者:  Liu, FQ;  Wang, ZG;  Xu, B;  Wu, J;  Qian, JJ
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12
Photoluminescence properties of sige/si single wells with fluctuating structural parameters 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 23, 页码: L85-l87
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Si, JJ;  Huang, DD;  Li, JP
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1998, 卷号: 31, 期号: 23, 页码: L85-L87
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Si, JJ;  Huang, DD;  Li, JP
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of si1-xgex/si superlattice materials 期刊论文
Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 93-96
作者:  Zou, LF;  Acosta-Ortiz, SE;  Zou, LX;  Regalado, LE;  Sun, DZ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Structural characterization of sige/si single wells grown by disilane and solid-ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12
Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by mbe with an additional incident indium flux 期刊论文
Semiconductor science and technology, 1998, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 1469-1471
作者:  Foxon, CT;  Hooper, SE;  Cheng, TS;  Orton, JW;  Ren, GB
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12
Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02
Threshold reduction in strained-layer ingaas/gaas quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30
作者:  Lu, LW;  Zhang, YH;  Yang, GW;  Wang, J;  Ge, WK
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Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped algan/gan heterostructure 期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 17, 页码: 2471-2472
作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Kong, MY;  Zeng, YP
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