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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1997     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Development of a novel micro-FIA-ISFET integrated sensor 期刊论文 SENSORS AND MATERIALS, 1997, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 163-170 Chen, JN; Niu, MN; Ding, XF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  FLOW  CELL   Study on the microstructure and properties of nanosized stannic oxide powders 期刊论文 materials chemistry and physics, 1997, 卷号: 47, 期号: 2-3, 页码: 239-245 Li Q; Yuan XD; Zeng GF; Xi SQ 收藏  |  浏览/下载：144/18  |  提交时间：2010/12/22 GAS SENSORS  TIN  XPS   Determination of the secondary structure of the king cobra neurotoxin CM-11 期刊论文 acta biochimica et biophysica sinica, 1997, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 503-509 Pang YX; Liu WD; Liu AZ; Pei FK 收藏  |  浏览/下载：127/16  |  提交时间：2010/12/22 CHEMICAL-SHIFT  SPECTROSCOPY  ASSIGNMENT   Threshold behavior in backgating in gaas metal-semiconductor field-effect transistors: induced by limitation of channel-substrate junction to leakage current 期刊论文 Journal of applied physics, 1997, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 511-515 作者:  Chen, YH;  Wang, ZG;  Qian, JJ;  Sun, MF 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Threshold behavior in backgating in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors: Induced by limitation of channel-substrate junction to leakage current 期刊论文 journal of applied physics, 1997, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 511-515 Chen YH; Wang ZG; Qian JJ; Sun MF 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17