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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1997    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS