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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1997 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:1997
学科主题:半导体材料
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Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300
Pan D
;
Zeng YP
;
Wu J
;
Kong MY
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提交时间:2010/11/17
MBE growth
strained superlattice
EPITAXIAL MULTILAYERS
MISFIT DISLOCATIONS
LAYERS
RELAXATION
DEFECTS
STRAIN
FILMS
The structures and transformations on Si(113) surface
期刊论文
applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98
Feng KA
;
Mu XM
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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  |  
提交时间:2010/11/17
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