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超格子の混晶化法 专利
专利号: JP2533581B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-11
作者:  宮澤 丈夫
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Ion beam defect engineering in semiconductors and optoelectric materials 其他
1996-01-01
Wang, ZL; Zhao, QT; Wang, KM; Shi, BR
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Transmission electron microscopy and spectroscopic ellipsometry studies of damage layer induced by large tilt angle ion implantation 期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1996, 卷号: 143, 期号: 8, 页码: 2636-2640
He,ZP; Cristiano,F; Zhou,ZY; Qian,YH; Chen,LY; Lin,CL; Hemment,PLF; Zou,SC
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P+-N  
Analysis of implantation-induced damage and amorphization of GaSb 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1996, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: 57-63
Zheng, YX; Chen, LY; Zhou, SM; Wang, YD; Qian, YH; Lin, CL; He, ZP; Zheng, AS; Li, JM
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Waveguide formation of KTiOPO4 by multienergy MeV He+ implantation 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 1996, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1333-1335
作者:  Wang, KM;  Shi, BR;  Ding, PJ;  Wang, W;  Lanford, WA
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