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半導体発光装置 专利
专利号: JP2593845B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-26
作者:  石橋 晃;  石川 秀人;  森 芳文
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半導体発光素子 专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:  麻多 進
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面発光半導体レーザとその製造方法 专利
专利号: JP1996236865A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:  大坪 孝二
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半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP2557546B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
作者:  西村 隆司
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1996028554B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
作者:  生和 義人
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Temperature dependence of the low-field mobility of a very narrow miniband in the degenerate case 期刊论文
Physics letters a, 1996, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 97-102
作者:  Xu, SJ;  Liu, J;  Zheng, HZ;  Chua, SJ;  Li, YX
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First-principles study of the quaternary semiconductor superlattices (GaX)(1)/(YAs)(1) (X=N, P; Y=Al, In) 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13784
Gu, YM; Pang, T; Chen, CF; Wang, EG; Ting, CS; Bylander, DM; Kleinman, L
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Polar optical oscillations in coupled quantum wells: The electron-phonon interaction and scattering 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 7, 页码: 3863
Shi, JJ; Pan, SH
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24
An investigation of the formation mechanisms of electric field domains in GaAs/AlAs superlattices 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 307
Sun, BQ; Jiang, DS; Liu, ZX; Zhang, YH; Liu, W
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17
经验赝势法在GaAs/Ge，AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用 期刊论文
1996
郑永梅; 王仁智; 何国敏
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