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| 半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法 专利
专利号: JP1995335977A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者: 後藤 勝彦
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| 半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法 专利
专利号: JP1995335977A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者: 後藤 勝彦
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| 多層エピタキシャル成長結晶の製造装置 专利
专利号: JP1995330485A, 申请日期: 1995-12-19, 公开日期: 1995-12-19
作者: 大木 一宏; 富塚 雄二; 大室 彰男; 山下 誠治; 梶本 淳
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| 半導体ストライプレーザ 专利
专利号: JP1995326819A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者: 小倉 睦郎
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| 面発光レーザダイオードの製造方法,及び面発光レーザダイオード 专利
专利号: JP1995312462A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
作者: 森 健三
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1995312464A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
作者: 杉浦 勝己
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| III族窒化物発光素子の製造方法 专利
专利号: JP1995273366A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者: 天野 浩; 赤崎 勇; 田中 利之; 當摩 照夫; 真部 勝英
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1995254754A, 申请日期: 1995-10-03, 公开日期: 1995-10-03
作者: 渡辺 温; 太田 啓之
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| 半導体光集積素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1995221390A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
作者: 鈴木 誠; 青木 雅博; 谷渡 剛
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| 半導体光素子及びその駆動方法 专利
专利号: JP1995202337A, 申请日期: 1995-08-04, 公开日期: 1995-08-04
作者: 山本 剛之
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