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Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers 专利
专利号: US5362974, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:  IRIKAWA, MICHINORI;  IGA, KENICHI
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Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode 专利
专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
作者:  HAYASHI, SHIGEO;  OKAWA, KAZUHIRO;  MITSUYU, TSUNEO
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Semiconductor double heterostructure laser device with InP current blocking layer 专利
专利号: US5319661, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:  IRIKAWA, MICHINORI;  IWASE, MASAYUKI
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埋め込み型半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1994032338B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
作者:  小林 健一
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
化合物半導体基板 专利
专利号: JP1994009188B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:  藤森 直治;  土居 陽
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ELECTROPHORETIC MOTION OF AN ARBITRARY PROLATE BODY OF REVOLUTION TOWARD AN INFINITE CONDUCTING WALL 期刊论文
journal of fluid mechanics, 1994
FENG, JJ; WU, WY
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THE APPLICATION OF THE MPB4 THEORY TO THE INTERFACE BETWEEN 2 IMMISCIBLE ELECTROLYTE-SOLUTIONS .1. THE DIFFERENTIAL CAPACITANCE OF THE WATER NITROBENZENE INTERFACE 期刊论文
journal of electroanalytical chemistry, 1994, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 15-19
CUI QZ; ZHU GY; WANG EK
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