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Method of fabricating a semiconductor laser 专利
专利号: US5268328, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07
作者:  MORI, YOSHIHIRO;  MANNOH, MASAYA;  KAMIYAMA, SATOSHI;  OHNAKA, KIYOSHI
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- 专利
专利号: JP1993080836B2, 申请日期: 1993-11-10, 公开日期: 1993-11-10
作者:  SUGIMOTO MITSUNORI
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HALBLEITERSTRUKTUREN. 专利
专利号: DE3785859D1, 申请日期: 1993-06-24, 公开日期: 1993-06-24
作者:  HOLONYAK NICK JR. URBANA ILLINOIS 61801 US;  BURNHAM ROBERT D. PALO ALTO CALIFORNIA 94306 US
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Algainp diodes emitting visible light 专利
专利号: CA2076605A1, 申请日期: 1993-05-05, 公开日期: 1993-05-05
作者:  BONA GIAN-LUCA;  BUCHAN NICHOLAS;  HEUBERGER WILLI;  ROENTGEN PETER
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Semiconductor laser 专利
专利号: US5185755, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者:  MORI, YOSHIHIRO;  MANNOH, MASAYA;  KAMIYAMA, SATOSHI;  OHNAKA, KIYOSHI
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/13
STRUCTURE AND PROPERTY OF POLYCRYSTALLINE (FE0.99MO0.01)78SI9B13 ALLOYS 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 7, 页码: 4501-4505
X. D. Liu; J. T. Wang; D. H. Ping; D. X. Li
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DAMAGE FORMATION IN SI(100) INDUCED BY MEV SELF-ION IMPLANTATION 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1993, 卷号: 82, 期号: 4, 页码: 575
ZHAO, QT; WANG, ZL; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS; LIU, XD; LIU, JT; WANG, KM
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/17
EFFECTS OF ION-BEAM DEFECT ENGINEERING ON CARRIER CONCENTRATION PROFILES IN 50-KEV P+-IMPLANTED SI(100) 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1993, 卷号: 62, 期号: 24, 页码: 3183
ZHAO, QT; WANG, ZL; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17
Analysis of mechanical behavior of imperfect crystals by means of double-vector rotator under frame of Cosserat's continuum 会议论文
2nd International Conference on Nonlinear Mechanics (ICNM II), BEIJING, PEOPLES R CHINA, AUG 23-26, 1993
作者:  HU, JY;  MENG, GX
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P-REGULAR ORBITS AND P-BLOCKS OF DEFECT ZERO 其他
1993-01-01
ZHANG, JP
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FINITE  

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