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| Buried type distorted superlattice semiconductor laser 专利
专利号: JP1991292789A, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24
作者: YAMADA HIROHITO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991276687A, 申请日期: 1991-12-06, 公开日期: 1991-12-06
作者: SHONO MASAYUKI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991257887A, 申请日期: 1991-11-18, 公开日期: 1991-11-18
作者: SEKO YASUJI
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor laser and vapor growth apparatus 专利
专利号: JP1991225986A, 申请日期: 1991-10-04, 公开日期: 1991-10-04
作者: TAMAMURA KOJI; KAWARADA YOSHIHIRO
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| Semiconductor laser element of double hetero-junction type 专利
专利号: JP1991225984A, 申请日期: 1991-10-04, 公开日期: 1991-10-04
作者: NITORI KOICHI
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| Semiconductor crystal growing method 专利
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者: HORIE KAYOKO; OTSUKA TAKEO; AKIYAMA NAOKI
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Manufacture of quantum thin wire or quantum box 专利
专利号: JP1991184380A, 申请日期: 1991-08-12, 公开日期: 1991-08-12
作者: MURAKAMI HIDEKAZU; ETO HIROYUKI; NAKAGAWA KIYOKAZU; NAKAMURA NOBUO; OSHIMA TAKU
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| POSITRON LIFETIME STUDY OF PROTON-IRRADIATED MOLYBDENUM 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1991, 卷号: 61, 页码: 72-76
作者: ZHU, ZY; CHEN, KQ; CHEN, JH; XU, RH; WANG, ZG
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991152983A, 申请日期: 1991-06-28, 公开日期: 1991-06-28
作者: HINO ISAO
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| Crystal growth method on roughened substrate 专利
专利号: JP1991076218A, 申请日期: 1991-04-02, 公开日期: 1991-04-02
作者: NARUI HIRONOBU; MORI YOSHIFUMI; HIRATA SHOJI
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